先进芯片封装技术:引领未来,重塑科技魅力!

   发布日期:2024-04-20 13:54:50     来源:网络整理    作者:本站编辑    浏览:12    评论:0    
  

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集成电路:功能多样,应用广泛

集成电路(Integrated Circuit,简称IC)是一种微型电子器件或部件,通过特定的工艺将晶体管、二极管、电阻、电容和电感等元件及布线互连一起,制作在一小块或几小块半导体晶片或介质基片上,然后封装在一个管壳内,成为具有所需电路功能的微型结构。它在电路中用字母“ic”表示,有时也用文字符号“N”等。

集成电路的功能多样,包括但不限于增强信号、放大信号、逻辑运算、记忆存储、时钟和定时、通信和传输、传感和检测以及控制和驱动等。它在通信、医疗、汽车、工业控制和自动化、物联网等领域都有广泛的应用,是国家安全、经济建设和人民的日常生活中不可或缺的一部分。

随着技术的进步,集成电路的设计和制造越来越复杂,但这也使得其性能得到了显著提升,功耗更低,可靠性更高。同时,集成电路的发展也面临着一些挑战,如技术壁垒、人才壁垒以及市场竞争等。

2D封装技术:集成与可靠性新高度

在2D封装时代,集成电路的封装技术主要集中在将多颗芯片和其他单元组装在同一块多层互连基板上,形成高密度和高可靠性的微电子组件。这一技术被广泛应用于各种电子设备中,提高了电路的性能和可靠性。

在2D封装技术中,MCM(多芯片模块)技术是一种重要的代表。MCM技术能够将多颗芯片和其他单元组装在同一基板上,通过内部布线进行互连,形成一个完整的功能模块。这种技术不仅可以提高集成电路的集成度,还可以减小电路的体积和重量,提高电路的可靠性和稳定性。

此外,2D封装技术也面临着一些挑战,如布线密度低和互连受限等问题。为了解决这些问题,芯片封装技术逐渐进入到了2.5D和3D封装时代。

2.5D封装技术:集成与性能新突破

2.5D集成电路封装是一种介于传统2D封装和3D封装之间的过渡技术,通过在硅中介层(Silicon Interposer)上集成多个裸芯片(Bare Die),实现了芯片之间的高速互连和短距离通信。硅中介层具有高密度、高性能的互连特性,可以大大提高系统的整体性能。

在物理结构上,2.5D封装技术将所有芯片和无源器件均放置在XY平面上方,至少有部分芯片和无源器件安装在中介层上。在XY平面的上方有中介层的布线和过孔,在XY平面的下方有基板的布线和过孔。这种结构使得芯片之间的数据传输速度大大提高,满足了高性能计算、网络通信、人工智能、移动设备等领域对高性能和灵活设计的需求。

2.5D封装技术的核心在于硅中介层的设计和制造,通常采用硅通孔(Through-Silicon Via,TSV)技术实现垂直互连。TSV技术通过在硅片上打孔并填充导电材料,实现了芯片之间的垂直电气连接,具有低电阻、低电容和低电感的特点,可以显著提高信号传输的速度和稳定性。

与2D封装相比,2.5D封装在集成度、性能以及布线密度上都有所提升;而与3D封装相比,2.5D封装在制造难度和可靠性上则具有优势。因此,2.5D封装技术被认为是当前集成电路封装领域的一种重要发展方向。

3D封装技术:优势与挑战并存

3D封装是一种三维立体式的芯片封装技术,它将多个芯片同层或不同层交叉封装在一个封装体内,从而显著提升了芯片电路性能。这种技术相比于传统的二维平面封装具有更高的可靠性、更低的功耗和更小的封装体积等诸多优点。

在3D封装中,芯片被堆叠起来,通过硅穿孔(TSV)技术实现上下不同芯片之间的电子讯号连接。这种封装方式不仅增大了芯片布局密度,提高了产品的性能、功耗和面积,同时也减少了对设备整体尺寸的影响。此外,3D封装还允许将不同的芯片如CPU、加速器、内存、IO、电源管理等像乐高积木一样拼凑起来,实现更好的互连能效,减少访问延迟。

然而,3D封装技术也面临一些挑战。首先,直接在芯片内制作硅穿孔的技术难度较高。其次,由于多个芯片被堆叠在一个封装体内,散热问题成为一个严重的挑战。此外,长期可靠性方面也存在一定的限制。

随着高效能运算、人工智能等应用的兴起以及TSV技术的逐渐成熟,越来越多的CPU、GPU和记忆体开始采用3D封装技术。目前,3D封装已成为行业顶尖的芯片企业如英特尔、AMD、NVIDIA、苹果等致胜的关键技术之一。

摩尔定律限制与芯片堆叠挑战:半导体技术的新议题

摩尔定律的限制主要来自于物理和技术方面的挑战具体来说,当芯片尺寸逐渐缩小到纳米级别时,量子效应和热效应的影响将变得越来越大,这增加了芯片制造的难度。同时,制造成本的不断上升也削弱了摩尔定律所代表的性价比优势。此外,新技术的出现,如量子计算、光电子学、超导等,可能带来性能上的突破,但也可能导致摩尔定律失效。

而采用芯片堆叠的主要原因,在于试图通过特殊的技术将原本一片芯片设计成两层或多层,然后分装在同一片芯片当中,在运行过程中通过同步信号等方式来使其共同进行运算,从而突破单片芯片的运算能力上限。然而,芯片堆叠也面临一些挑战,例如散热问题。当多片芯片叠加在一起时,散热会变得困难,高温可能会破坏芯片的内部结构,导致损坏。此外,芯片的兼容性和稳定性问题也无法通过简单的堆叠来解决。

先进封装技术:机遇与挑战并存

随着AI技术的持续进步,众多应用场景以及芯片对高算力、高带宽、低延迟、低功耗、更大内存和系统集成等特性提出了更为严格的要求。在这一背景下,先进封装技术扮演着至关重要的角色。例如,FCBGA、FCCSP和2.5D/3D封装技术将在2024年成为市场的主流。此外,先进封装技术的市场占比逐步攀升,有望逐渐超越传统封装技术,成为行业发展的新风向。

然而,我国先进封装技术也面临着一些挑战。首先,产业界的鸿沟问题不容忽视。先进封装涉及系统设计、芯片设计、芯片加工、封装测试和产品集成等多个环节,每个环节之间的跨界沟通存在一定难度。其次,先进封装需要在实现难易度、成本、交期、可靠性、性能等多方面进行平衡,这无疑增加了技术的实现难度。再次,先进封装往往没有统一的标准,尤其是高阶形式如Chiplet的设计,仍在探索中。最后,高端封装设计人才稀缺也是制约我国先进封装技术发展的一个重要因素。

先进封装技术:半导体行业新动力引擎

先进封装技术无疑是半导体行业发展的重要引擎,它通过三维堆叠和异构集成的方式,极大地提升了芯片的集成度和整体系统性能。这种技术的出现,使得芯片在实现小型化的同时,也能有效降低功耗,进一步减少生产成本,为半导体行业的可持续发展注入了新的活力。

先进封装技术不仅是对传统封装方式的一次革新,更是对摩尔定律物理极限挑战的有力回应。在摩尔定律逐渐逼近其物理极限的背景下,先进封装技术通过其独特的集成方式,有效地突破了传统封装技术的局限性,为半导体行业的持续发展开辟了新的道路。

此外,先进封装技术还推动了新材料和新工艺的创新。在封装过程中,需要使用到各种新型材料和工艺,这些新材料和新工艺的研发和应用,不仅提升了封装技术的性能,也为半导体行业的技术进步提供了强大的支持。

更值得一提的是,先进封装技术还促进了产业链上下游的协同合作。在封装过程中,需要芯片设计、制造、封装测试等多个环节的紧密配合,这种协同合作不仅提高了封装技术的实现效率,也推动了整个半导体产业链的协同发展。

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