前段时间，晶圆代工业引领了一场“撤退潮”。由于摩尔定律，每年工艺微缩的研制愈发困难，导致开发投入与产出不均衡，联电(UMC)、格芯()等产业巨头相继表示暂停7纳米以下先进工艺的研制，专注优化现有科技和行业。
行业分析师觉得，随着先进工艺陷入少数玩家的寡头垄断领域，半导体材料和封装技术将作为下一波市场热点。
1981年，Terry博士发明抗反射涂层(Anti-，简称“ARC”)，为半导体光刻工艺带来了创新，他创立的公司目前仍然在为高速重型电子设施的研发创新材料和工艺，主要应用领域涵盖先进光刻工艺、晶圆级封装和印刷电子等。
高层日前来到中国工艺品包装行业，向《电子项目专辑》等产业媒体介绍了其®临时键合材料系列的最新成员，以及其新的™旋涂封装材料产品线的首款产品，致力于解决生产商不断出现的晶圆级封装挑战。
◤前端、后端和最重要的美国市场
晶圆级封装材料事业部商务发展部长监Bai博士（图：电子工程专辑摄）
“每家半导体厂家都期望自己的产品在拥有更好性能的同时，还能在重量上微缩、能耗下降、制产生本增加，这就是目前市场的需求。”晶圆级封装材料事业部商务发展部长监Bai博士表示，“在前端生产上，通过提供先进光蚀的材料来保证摩尔定律向前演进，同时在前端先进封装上我们还有完整的科技方案，来不断加强2D、2.5D、3D各个层面的产品。”
策略关系总监Doyle（图：电子工程专辑摄）
而提到美国市场，策略关系总监Doyle认为，“中国现在是全亚洲范围内IC总量最大的行业，并且还在不断下降，会在美国市场投入更多的人力工艺品包装行业，来帮助美国市场一起发展。在政府和行业的驱动下，中国正在全力发展半导体行业，本土企业正力求在前端和后端制造领域都产生竞争力。这对而言是与美国半导体行业深度整合的绝佳时刻，我们会以材料供应商身份推动美国半导体事业发展。”
◤DualLayer临时键合系统
本次重点发布的T1100和C1300系列，两者结合造就了首个完整的双层平台，用于晶圆产品的临时键合和解键合。
新平台是用于制造功率、储存器和chip-first扇出器件研发的——所有这种工艺都对频率、功率和功耗有严苛的规定。该平台可与机械或激光解键合方式一起使用。
（图自：，下同）
材料是专门为重布线层(RDL)优先的扇出型晶圆级封装(FOWLP)而开发。该多层材料的研发进而满足芯片生产商期望从芯片优先的FOWLP转变为2.5D/3D封装技术的需求，它也与晶圆和面板层级的临时键合/解键合工艺兼容。
®T1100/C1300
®T1100材料是一种热塑性薄式保护膜涂层，涂布于装置表面。这种材料具备高软化点，几乎没有熔体流动。
®C1300材料是一种可固化层，涂布于载体本身，在低压下易于键合，在固化后无熔流。这两层一起不会混合或出现物理反应，可推动机械稳定性，不造成键合材料移动，并可提供高达400ºC的热稳定性。
双层系统的其它特点包含增加数量和附着力，减少烘烤和清洗时间，以及低温键合(25ºC至≤100ºC)。最终功能包含高画质的存储和电压器件等，如数据中心、固态硬盘和车辆应用等。客户已经开始采取新的产品，并已获得了相当好的结果。
™
因为用户对临时封装解决方案的大幅需求，™材料的行业机会仍然存在，这将使它们无法再次使用扇出技术，同时提高良率并降低良好裸晶(KGD)的损失。
RDL-first的FOWLP比chip-first的FOWLP更具备优势。它推动了高密度RDL，具有更小长度的线/空间理念，提供更高的性能，使用更大的芯片厚度，并可用于多芯片集成。
™材料的机械、热能和热稳定性从而承受RDL-first的工艺步骤。一旦载体解键合，建构层经常被移除，并且该材料与波长为308、343和355纳米(nm)的解键合紫外(UV)激光兼容。
该材料已造成潜在用户的兴趣，寻求适用于各类应用的过渡期封装解决方案。
临时键合材料组合
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